Kõrgepingetakistite membraanitakistuse juhtimine

Sünteetilisel süsinikkilel ja metallist klaasist glasuurkilel võib olla väga kõrge kilekindlus, seetõttu kasutatakse neid valmistamisekskõrgepinge takistid. Lisaks suurele vastupidavuselekõrgepinge takistidpeavad taluma teatud võimsust ja kõrget pinget. Takistuse väärtuse suurendamiseks ja väiksema pingekoefitsiendi saamiseks tuleks juhtiv kile teha kitsaks ja pikaks. Sünteetilise süsinikkile pikkus ei tohiks olla lühem kui 2 cm/kV.

Seoses metallklaasist glasuurkile pingekindluse parandamisega on kirjanduses kirjeldatud meetodit kristallide kasvu reguleeriva aine lisamiseks metallklaasile. Valemi juhtiv faas on ruteeniumoksiid, sideaine on klaas, kristallide kasvu reguleeriv aine on alumiiniumoksiidi pulber ja kandja on etüültselluloos. Metallist klaasist glasuuripulber kaetakse aluspinnale ja põletatakse temperatuuril 975–1025 ℃ 45–60 minutit. Põletusprotsessi ajal sideaine sulab ja juhtiv faas kasvab, kuni seda kontrollib kontrollaine. Kristallide kasvu reguleeriv aine moodustab inertse tühimike massiivi. Juhtiv faas on tühimassiivis olev aine. Kilekihi pingetegur pingegradiendi 1100V/cm (takistuskile pikkus) all on 400×10-6/V. Survekindlust parandab ka kontrollainete lisamine. Kasutage kontrollaineid, mille osakesed on väiksemad kui 1 μ (näiteks 0,3 μ), pingetakistusega 1100 V/cm (takistuskile pikkus). Kasutades kontrollainet, mille osakeste suurus on 0,1 μ, saab rõhukindlust suurendada kuni 2200 V/cm (takistuskile pikkus). Kile muude tingimuste kohta vaadake metallist klaasist glasuurtakistit.